1、电力电子驱动电路必须提供控制电路与主电路之间的电气隔离，一般采用光隔离与磁隔离。
A、错
B、对
2、电力电子器件的损耗包括通态损耗与断态损耗。
A、对
B、错
3、电力MOSFET栅源电压不能大于10伏，否则将导致绝缘层击穿
A、错
B、对
4、可关断晶闸管（gto）是一种（ ）结构的半导体器件
A、三层三端
B、五层三端
C、四层三端
D、三层二端
5、晶闸管导通的条件是（ ）
A、阳极加反向电压，门极有负向脉冲
B、阳极加正向电压，门极有正向脉冲
C、阳极加正向电压，门极有负向脉冲
D、阳极加反向电压，门极有正向脉冲
6、晶闸管内部有（ ）PN结。
A、一个
B、四个
C、三个
D、二个
7、单结晶体管内部有（ ）个PN结
A、二个
B、四个
C、三个
D、一个
8、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）
A、反向截止
B、临界饱和
C、一次击穿
D、二次击穿
9、下列电力电子器件中，属于电压驱动型的是（ ）
A、GTO
B、SCR
C、IGBT
D、GTR
10、下列器件中，属于电流型驱动的是（ ）
A、GTR
B、GTO
C、IGBT
D、SCR
