1、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
A、对
B、错
2、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
A、对
B、错
3、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
A、对
B、错
4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
A、对
B、错
5、PNP管工作于放大区的偏置条件是发射结正偏导通，集电结反偏。
A、错
B、对
6、晶体管工作于放大区时，流过发射结的电流主要是扩散电流。
A、对
B、错
7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）
A、变宽
B、变窄
C、基本不变
8、稳压管的稳压区是其工作在（ ）
A、反向击穿
B、反向截止
C、正向导通
9、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）
A、前者正偏、后者也正偏
B、前者反偏、后者也反偏
C、前者正偏、后者反偏
10、当一个Si材料PN结外加反向电压时，它的耗尽层变宽，势垒增强。因此，其扩散电流为（ ）
A、0mA
B、毫安数量级
C、无穷大
D、微安数量级
