A、对
B、错
A、对
B、错
A、对
B、错
A、对
B、错
A、密排面是{110},密排方向是<
111>
;
B、密排面是{110},密排方向是<
110>
;
C、密排面是{111},密排方向是<
111>
;
D、密排面是{111},密排方向是<
110>
。
A、三个
B、四个
C、五个
D、六个
A、表面能
B、界面能
C、表面界面能
D、弹性畸变能
A、在给定温度下发生再结晶需要一个最小变形量;
B、变形量越大,再结晶后的晶粒越细;
C、第二相尺寸较大时再结晶核心能在其表面产生;
D、再结晶是一种相变过程。
A、金属在退火状态下位错密度较低;
B、金属变形后产生大量位错;
C、位错数量增加后会引起材料的强化;
D、位错运动会消失,所以变形将导致位错数量下降。
A、金属的实际断裂强度要比理论断裂强度低很多;
B、金属的实际断裂强度低是因为在实际材料中存在裂纹。
C、金属中的裂纹是先天就存在的;
D、生产上的一些制造工艺缺陷,会形成微裂纹。