A、对
B、错
A、对
B、错
A、对
B、错
A、更高
B、更低
C、一样
D、无法确定
A、位错线运动方向
B、柏氏矢量方向
C、位错线方向
D、位错线法线方向
A、小于位错运动距离
B、大于位错运动距离
C、等于位错运动距离
D、无法确定
A、电阻减小
B、密度下降
C、体积膨胀
D、塑性提高
A、退火后位错密度较低,晶体强度也较低;;
B、点缺陷的产生冷变形后位错密度升高,晶体强度更低使熵增加;
C、点缺陷的产生使自由能增加冷变形后位错密度升高,强度反而升高;
D、位错极少的晶须强度很高。
A、点缺陷的产生使内能增加;
B、点缺陷的产生使熵增加;
C、点缺陷的产生使自由能增加;
D、点缺陷的产生使自由能下降。
A、对
B、错