1、AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。保存
A、对
B、错
2、半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法
A、对
B、错
3、PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。
A、对
B、错
4、半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。
A、对
B、错
5、硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。
A、对
B、错
6、GaAs晶体是_结构
A、金刚石
B、闪锌矿
C、体心
D、面心
7、有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是4Å，其带隙有可能是_____eV
A、1.4
B、1.0
C、1.2
D、以上都不可能
8、如下图所示的能带结构，代表的是＿＿＿半导体＿＿＿＿＿＿＿＿ EC―――――――― EF ＿＿＿＿＿＿＿＿ EV
A、n型
B、p型
C、本征
D、以上都不是
