第三章单元测试

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1、通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。

A、对
B、错

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2、pn结加反偏压时，总电流为0。

A、对
B、错

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3、平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。

A、对
B、错

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4、金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。

A、对
B、错

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5、欧姆接触也称为整流接触。

A、对
B、错

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6、通常，超晶格结构是基于异质结设计的。

A、对
B、错

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7、n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。

A、对
B、错

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8、MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。

A、对
B、错

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9、MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。

A、对
B、错

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10、BJT可用于恒定电流源的设计。

A、对
B、错

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