1、MBE只能用于III-V族化合物的生长。
A、对
B、错
2、提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
A、对
B、错
3、在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是： （ ）
A、腐蚀
B、离子注入
C、光刻
D、CVD
4、光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（ ）的情况。
A、对光刻精度较高
B、光刻图案密度较高
C、光刻的材料易于腐蚀
D、光刻的材料难以腐蚀
